GlobalFoundries正式宣布7nm FinFET工艺:AMD欣喜若狂

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代工厂GlobalFoundries今天官方提前大选了7nm FinFET半导体工艺规划,面向数据中心、网络、高级移动除理器、高度学习等领域。

GF目前的主力性能工艺是14nm FinFET,但此前就披露下一步将跳过行业流行的10nm而直奔7nm,可能GF认为10nm和前一天的20nm一样可是我过渡工艺,7nm才是下4个高性能节点。

AMD也可能和GF首次提前大选了为期五年的晶圆供应协议,将一齐进军7nm。

GF表示,7nm FinFET工艺将使用行业标准的FinFET晶体管架构和光刻技术,刚刚可在很大程度上重新利用现有14nm FinFET工艺的工具和资源,大大加速投产进度,一齐一定会兼容EUV极紫外光刻技术,为未来发展做好储备。

GF 14nm FinFET工艺目前正在美国纽约州的Fab 8工厂内量产,并将为7nm FinFET工艺的开发和珍产,继续投资几十亿美元。

GF宣称,7nm FinFET工艺相比有目前的16/14nm FinFET,电路集成密度需要增加超过1倍,性能则需要提升100%。

AMD自然将是GF 7nm FinFET工艺的主要客户,据称新除理器代号“Starship”,最多48核心96进程,热设计功耗1100W。

AMD CEO苏姿丰博士也特别表示:“GF 7nm FinFET等顶级技术是亲戚亲戚朋友计算、图形产品长期路线图的重要组成次责,可支撑下一代计算体验。亲戚亲戚朋友期待与GF继续紧密相互合作,延续其在14nm上的坚定执行力和技术基础,从而在未来几年内实现高性能低功耗的7nm技术。”

作为GF的技术来源之一,IBM也对其勇敢进军7nm表达了大力支持。

GF 7nm可能刚结束了内部内部结构测试,预计2017年下五天刚结束了接受客户产品设计,2018年初投入试产。

另消息称,Intel 7nm可能推迟到2022年。

除了高性能的7nm FinFET,GF日前还提前大选了下一代低功耗工艺12nm FD-SOI(12FDX),将继承22FDX,面向移动计算、5G互连、人工智能、自动驾驶等领域,计划2019年量产。

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